セレン化銅錫バンドギャップ 次世代太陽光発電 3 - NEDO

実施者は、1) 記録効率を持つ銅・インジウム・ガリウム・セレン化物化合物半導体(CIGSe) と銅・亜鉛・錫・硫黄・セレン化物の化合物半導体(CZTSSe) (1.13バンドギャップeV ) 吸収材を組み合わせて、理想的なバンドギャップ(1.74eV)を有する高オプトエレクトロニ 高倉・峯元研究室 ホームページ Cu2SnSe3薄膜太陽電池の開発. In(インジウム)などのレアメタルを使用しないCu2ZnSnS4 (Cu:銅 Zn:亜鉛 Sn:錫 S:硫黄)薄膜太陽電池は、バンドギャップ1.5eVと太陽電池にとって理想的なバンドギャップを有し、光吸収係数は104cm-1と高い数値をもち、薄膜太陽電池の光吸収層に適した材料の一つです。その中 ... セレン（元素記号 Se）の用途、特性、物性、密度、融点、沸点など 鉱物としては、セレン銀鉱やセレン銅銀鉱に含まれますが、工業的には硫酸や銅の精錬をする際の副産物として出てくるものが利用されています。この元素は、日本が産出国のトップを占める珍しい部類です。 セレン（元素記号 Se）が活用されている分野 量子ドット工学講座 No.44 - 極東極楽 ごくとうごくらく 用いた多源蒸着法、あるいは、プリカーサとして銅／インジウム積層膜や銅ガリウム／インジウム積層膜を真空成 膜プロセスで形成した後、セレン化水素（H 2 Seと記す場合がある）ガス中などで熱処理する、セレン化法によ り形成される。 KAKEN — 研究者をさがす | 荒木 秀明 (40342480) 所属 (現在)：長岡工業高等専門学校,物質工学科,教授, 研究分野：電子・電気材料工学,小区分31020:地球資源工学およびエネルギー学関連,応用物性・結晶工学,結晶工学,エネルギー学, キーワード：太陽電池,薄膜,硫化物,新機能材料,太陽電池材料,化合物薄膜太陽電池,カルコゲン化合物,カルコパ ... 半導体材料 – HiSoUR 芸術 文化 美術 歴史 錫硫化物（SnS）は、1.3eVを超える光子エネルギーに対して、直接的な光学バンドギャップが1.3eVであり、吸収係数が10 4 cm -1 を超える半導体である。 これは、ドーピングおよび構造改質によって電気特性を調整することができるp型半導体であり、10年以来 ... 「セレン化カドミウムセル」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索 「セレン化カドミウムセル」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) 薄膜太陽電池 – HiSoUR 芸術 文化 美術 歴史 銅インジウムガリウムセレン化物 銅インジウムガリウムセレン化太陽電池またはcigsセルは、銅、インジウム、ガリウム、セレン化物（cigs）からなる吸収体を使用し、半導体材料のガリウムフリーバリアントはcisと略記される。 KAKEN — Research Projects | 2016 Fiscal Year Annual ... 薄膜太陽電池 / 硫化物 / バンドギャップ制御 / 薄膜 / カルコゲン化合物 / 銅錫ゲルマニウム硫化物 / インジウムフリー ... また，同時蒸着Cu2SnS3プリカーサ薄膜薄膜の緻密化・結晶の大粒径化に取り組み，高品質な薄膜を得る作製条件の検討を行った。 KAKEN — Researchers | Araki Hideaki (40342480) Affiliation (Current)：長岡工業高等専門学校,物質工学科,教授, Research Field：Electronic materials/Electric materials,Basic Section 31020:Earth resource engineering, Energy sciences-related,Applied materials science/Crystal engineering,Crystal engineering,Energy engineering, Keywords：太陽電池,薄膜,硫化物,新機能材料,太陽電池材料,化合物薄膜太陽 ...